型号: IGB20N60H3
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: IGB20N60H3
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: TrenchStop®
包装: 带卷(TR)
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 80A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.4V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 170W
开关能量: 690µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 120nC
25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/194ns
测试条件: 400V,20A,14.6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO263-3
其它名称: IGB20N60H3-NDIGB20N60H3ATMA1SP000852232
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