型号: IGC10T65QE
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: --
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 650.0V
Technology: IGBT HighSpeed 3
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VGE(th) min max: 4.2 V 5.6 V
VCE(sat) max: 2.32 V
IC max: 20.0A
RoHS compliant: yes
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 650.0V
Technology: IGBT HighSpeed 3
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VCE max: 650.0 V
VDS max: 650.0 V
Operating Temperature min max: -40.0°C 175.0°C
VGE(th) min max: 4.2 V 5.6 V
VCE(sat) max: 2.32 V
VCE max: 650.0V
VCE(sat) max: 2.32V
IC max: 20.0A
VGE(th) min max: 4.2V 5.6V
IC max: 20.0 A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
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