型号: IGC114T170S8RH
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: --
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1700.0V
Technology: IGBT3 High Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 150.0 °C
VGE(th) min max: 5.2 V 6.4 V
VCE(sat) max: 2.15 V
IC max: 100.0A
RoHS compliant: yes
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1700.0V
Technology: IGBT3 High Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 150.0 °C
VCE max: 1700.0 V
VDS max: 1700.0 V
Operating Temperature min max: -40.0°C 150.0°C
VGE(th) min max: 5.2 V 6.4 V
VCE(sat) max: 2.15 V
VCE max: 1700.0V
VCE(sat) max: 2.15V
IC max: 100.0A
VGE(th) min max: 5.2V 6.4V
IC max: 100.0 A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
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