型号: IGC193T120T8RM
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: --
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1200.0V
Technology: IGBT4 Medium Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VGE(th) min max: 5.3 V 6.3 V
VCE(sat) max: 1.3 V
IC max: 200.0A
RoHS compliant: yes
Packing Type: WAFER SAWN
VDS max: 1200.0V
Technology: IGBT4 Medium Power
Operating Temperature min max: -40.0 °C 175.0 °C
VCE max: 1200.0 V
VDS max: 1200.0 V
Operating Temperature min max: -40.0°C 175.0°C
VGE(th) min max: 5.3 V 6.3 V
VCE(sat) max: 1.3 V
VCE max: 1200.0V
VCE(sat) max: 1.3V
IC max: 200.0A
VGE(th) min max: 5.3V 6.3V
IC max: 200.0 A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:余先生,张先生
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