型号: IGT60R190D1S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1.6V @ 960uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：55.5W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12.5A(Tc)
栅源极阈值电压: 1.6V @ 960uA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 55.5W(Tc)
类型: N沟道
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