型号:  IGW25N120H3FKSA1

功能描述:  Infineon IGW25N120H3FKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  100A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，25A

功率 - 最大值：  326W

开关能量：  2.65mJ

输入类型：  标准

栅极电荷：  115nC

25°C 时 Td（开/关）值：  27ns/277ns

测试条件：  600V，25A，23 欧姆，15V

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-3

供应商器件封装：  PG-TO247-3

最大连续集电极电流：  50 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  326 W

封装类型：  TO-247

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  1MHz

晶体管配置：  单

长度：  16.13mm

宽度：  5.21mm

高度：  21.1mm

尺寸：  16.13 x 5.21 x 21.1mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs