型号: IGW30N100T
功能描述: IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1000 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 412 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IGW30N100TFKSA1 IGW3N1TXK SP000380845
单位重量: 6 g
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