型号: IKB20N60H3
功能描述: IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 170 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKB20N60H3ATMA1 IKB2N6H3XT SP000852234
单位重量: 2.200 g
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