型号:  IKB30N65EH5ATMA1

功能描述:  IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-263-3

安装风格:  SMD/SMT

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  650 V

集电极—射极饱和电压:  1.65 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  55 A

Pd-功率耗散:  188 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 175 C

系列:  650V TRENCHSTOP 5

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

集电极最大连续电流 Ic:  55 A

商标:  Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:  100 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  IGBTs

商标名:  TRENCHSTOP

零件号别名:  IKB30N65EH5 SP001502648