型号: IKB30N65ES5ATMA1
功能描述: IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.35 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 62 A
Pd-功率耗散: 188 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Cut Tape
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 62 A
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: IKB30N65ES5 SP001502572
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