型号: IKB40N65EF5ATMA1
功能描述: IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 ultra fast F5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 74 A
Pd-功率耗散: 250 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5
封装: Cut Tape
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 74 A
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: IKB40N65EF5 SP001612186
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张小慧
电话：18500091576
Q Q:
联系人：周先生
电话：17612073080
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
