型号: IKD10N60R
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: TrenchStop®
包装: 带卷(TR)
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.1V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 150W
开关能量: 590µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 64nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/192ns
测试条件: 400V,10A,23 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 62ns
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO252-3
其它名称: IKD10N60RBTMA1IKD10N60RINTRSP000629350
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