型号: IKW30N65ES5
功能描述: IGBT 晶体管 Trenchstop 5 IGBT
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.35 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 62 A
Pd-功率耗散: 188 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 S5
封装: Tube
高度: 5.21 mm
长度: 21.1 mm
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
宽度: 16.13 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW30N65ES5XKSA1 SP001319678
单位重量: 38 g
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