型号: IKW40T120FKSA1
功能描述: Infineon IKW40T120FKSA1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型: NPT,沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 105A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 270W
开关能量: 6.5mJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 203nC
25°C 时 Td(开/关)值: 48ns/480ns
测试条件: 600V,40A,15 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 240ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: PG-TO247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3
最大连续集电极电流: 75 A
最大集电极-发射极电压: 1200 V
最大栅极发射极电压: ±20V
最大功率耗散: 270 W
封装类型: TO-247
通道类型: N
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
长度: 16.13mm
宽度: 5.21mm
高度: 21.1mm
尺寸: 16.13 x 5.21 x 21.1mm
最高工作温度: +150 °C
最低工作温度: -40 °C
栅极电容: 2500pF
额定能量: 10.4mJ
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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