型号:  IKZ50N65ES5XKSA1

功能描述:  IGBT 晶体管 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control l

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-4

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  650 V

集电极—射极饱和电压:  1.35 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  80 A

Pd-功率耗散:  274 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 175 C

系列:  TRENCHSTOP 5 S5

封装:  Tube

集电极最大连续电流 Ic:  80 A

商标:  Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:  100 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  240

子类别:  IGBTs

商标名:  TRENCHSTOP

零件号别名:  IKZ50N65ES5 SP001636074

单位重量:  6 g