型号: IMW120R350M1HXKSA1
功能描述: COOLSIC MOSFETS 1200V
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 455 毫欧 @ 2A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.7V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5.3nC @ 18V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 182pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 60W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
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