型号: IMZ120R060M1H
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 1200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 36A(Tc)
栅源极阈值电压: 5.7V @ 5.6mA
漏源导通电阻: 78mΩ @ 13A,18V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150W(Tc)
类型: N沟道
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