型号:  IPA50R190CE

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  18.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 510µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  47.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1137pF @ 100V

FET 功能：  超级结

功率耗散（最大值）：  32W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  190 毫欧 @ 6.2A，13V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO-220-FP

封装/外壳：  PG-TO220-3

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  190.0mΩ

IDpuls max：  63.0A

VDS max：  500.0V

ID max：  18.5A

Package：  TO-220 FullPAK

Rth：  3.9K/W

QG：  47.2nC

Budgetary Price €€/1k：  0.62

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  32.0W

Polarity：  N

Pin Count：  3.0Pins

RthJA max：  80.0K/W

Mounting：  THT

RthJC max：  3.9K/W

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs