型号:  IPA50R380CE

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  9.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 260µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  24.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  584pF @ 100V

FET 功能：  超级结

功率耗散（最大值）：  29.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  380 毫欧 @ 3.2A，13V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO-220-FP

封装/外壳：  PG-TO220-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  14.1A

Rds On-漏源导通电阻：  340mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  24.8nC

最小工作温度：  -40C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  29.2W

通道模式：  Enhancement

商标名：  CoolMOS

封装：  Tube

高度：  16.15mm

长度：  10.65mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.85mm

下降时间：  8.36ns

上升时间：  5.6ns

典型关闭延迟时间：  35ns

典型接通延迟时间：  7.2ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs