型号:  IPB011N04L G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

250 W：  Pd - 功率消耗

Id - C连续漏极电流：  180 A

品牌：  InFineon Technologies

安装风格：  SMD/SMT

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

最高工作温度：  + 175 C

标准包装数量：  1000

标准断开延迟时间：  106 ns

Rds On - 漏-源电阻：  1.1 m0hms

系列：  IPB011N04

通道模式：  Enhancement

配置：  Single Quint Source

RoHS：  符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：  40 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

上升时间：  13 ns

下降时间：  21 ns

公司名称：  OptiMOS

封装/外壳：  PG-TO263-7

通道数量：  1Channel

Vds-漏源极击穿电压：  40V

Id-连续漏极电流：  180A

Rds On-漏源导通电阻：  800uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  346nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

Pd-功率耗散：  250W

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

正向跨导 - 最小值：  180S

典型关闭延迟时间：  106ns

典型接通延迟时间：  25ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs