型号: IPB016N06L3G
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 180 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
封装 / 箱体: TO-263-7
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quint Source
下降时间: 38 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 79 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 131 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GXT SP000453040
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