型号:  IPB017N06N3GXT

功能描述:  MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  180 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  275 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  250 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Reel

高度:  4.4 mm

长度:  10 mm

系列:  OptiMOS 3

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:  9.25 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  99 S

下降时间:  24 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  80 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  79 ns

典型接通延迟时间:  41 ns

零件号别名:  G IPB017N06N3 IPB017N06N3GATMA1 SP000434404

单位重量:  1.600 g