型号: IPB023N04N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPB,IPP023N04N G
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 90A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.3 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 95µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 10000pF @ 20V
功率 - 最大值： 167W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-2
其它名称： IPB023N04N G-NDIPB023N04NGATMA1SP000391519
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