型号: IPB023N04NG
功能描述: MOSFET N-Ch 40V 90A D2PAK-
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 90 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体 10bc : D2PAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7.8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 6.6 ns
系列: IPB023N04
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
零件号别名: IPB023N04NGATMA1
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