型号: IPB025N08N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 120 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 33 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 73 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 86 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
零件号别名: IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GXT SP000311980
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
联系人：张先生
电话：18126038344
Q Q:
联系人：刘远威
电话：13528851884
Q Q:
