型号: IPB025N10N3GE818XT
功能描述: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 100 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 180 A
导通电阻： 2.5 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-TO263-7
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 28 ns
栅极电荷 Qg： 155 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 300 W
上升时间： 58 ns
系列： IPB025N10
工厂包装数量： 1000
典型关闭延迟时间： 84 ns
零件号别名： IPB025N10N3GE8187ATMA1 SP000939338
ROHS： 无铅
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