型号: IPB025N10N3GE818XT
功能描述: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 180 A
导通电阻: 2.5 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO263-7
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 28 ns
栅极电荷 Qg: 155 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 58 ns
系列: IPB025N10
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 84 ns
零件号别名: IPB025N10N3GE8187ATMA1 SP000939338
ROHS: 无铅
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