型号: IPB029N06N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 120 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
封装 / 箱体: TO-263-3
Reel:
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 120 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
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