型号:  IPB029N06N3GE8187ATMA1

功能描述:  MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  120 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  53 nC

Pd-功率耗散:  188 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.4 mm

长度:  10 mm

系列:  IPB029N06

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.25 mm

商标:  Infineon Technologies

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

零件号别名:  E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334

单位重量:  2 g