型号: IPB029N06N3GE8187ATMA1
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 53 nC
Pd-功率耗散: 188 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: IPB029N06
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334
单位重量: 2 g
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