型号: IPB031NE7N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 88 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
正向跨导 - 最小值: 150 S, 75 S
最小工作温度: - 55 C
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
零件号别名: IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GXT SP000641730
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