型号: IPB034N06N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs 2178 -栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-7
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quint Source
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 135 S, 68 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 161 ns
系列: IPB034N06
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
零件号别名: IPB034N06N3GATMA1
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