型号: IPB036N12N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 180 A
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-7
封装: Reel
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 195 S, 98 S
最小工作温度: - 55 C
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
零件号别名: IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GXT SP000675204
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