型号: IPB038N12N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 120 A
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 165 S, 83 S
最小工作温度: - 55 C
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
零件号别名: IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GXT SP000694160
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:曾先生
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:杨晓芳
电话:13430590551
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:丁先生
联系人:金小姐
联系人:曾
电话:15814611016