型号: IPB039N10N3GE818XT
功能描述: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 40 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 80 A
导通电阻： 3.9 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-TO263-3
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 6 ns
栅极电荷 Qg： 59 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 94 W
上升时间： 5.4 ns
系列： IPB039N10
工厂包装数量： 1000
典型关闭延迟时间： 38 ns
零件号别名： IPB039N10N3GE8187ATMA1 SP000939340
ROHS： 无铅
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