型号: IPB03N03LBG
功能描述:
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 3.9 m Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 7.6 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 48 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：sam
电话：13924601310
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：18565748926
Q Q:
联系人：林生
电话：13725502818
Q Q:
