型号:  IPB039N10N3G

功能描述:  MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  160 A

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Rds On-漏源导通电阻:  3.9 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.7 V

Qg-栅极电荷:  88 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  214 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  D2PAK-7

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single Quint Source

下降时间:  14 ns

正向跨导 - 最小值:  152 S, 76 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  29 ns

系列:  OptiMOS 3

工厂包装数量:  1000

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  48 ns

典型接通延迟时间:  27 ns

零件号别名:  IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GXT SP000482428