型号: IPB050N06N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 167nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6100pF @ 30V
功率 - 最大值： 300W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-2
其它名称： IPB050N06N G-NDIPB050N06NGATMA1IPB050N06NGINTRIPB050N06NGXTSP000204170
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：贺经理
电话：86-7552699
Q Q:
联系人：朱林涛
电话：13365850651
Q Q:
联系人：娄经理
电话：15564057604
Q Q:
