型号: IPB065N10N3G
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 90uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.5V @ 90uA
漏源导通电阻: 6.5mΩ @ 80A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 150W(Tc)
类型: N沟道
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:Alien
联系人:谢小姐
电话:15818669146
联系人:叶小姐
电话:183
联系人:张振文
电话:13902712713