型号: IPB067N08N3 G
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3840pF @ 40V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 136W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6.7 毫欧 @ 73A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-TO263-3
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 73µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 56nC @ 10V
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 80A
Rds On-漏源导通电阻: 6.7mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 136W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: CutTape
高度: 4.4mm
长度: 10mm
系列: OptiMOS3
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 9.25mm
下降时间: 8ns
上升时间: 66ns
典型关闭延迟时间: 31ns
典型接通延迟时间: 16ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:Alien
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:朱先生
联系人:方先生
Q Q:
联系人:马先生
电话:13601075042