型号: IPB067N08N3GATMA1
功能描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3GATMA1, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 73µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 56nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3840pF @ 40V
功率耗散(最大值): 136W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6.7 毫欧 @ 73A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳: PG-TO263-3
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 40V
通道类型: N
最大连续漏极电流: 80 A
最大漏源电压: 80 V
最大漏源电阻值: 0.0123 0hms
最大栅阈值电压: 3.5V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: D2PAK (TO-263)
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 136 W
高度: 4.57mm
每片芯片元件数目: 1
正向跨导: 91S
正向二极管电压: 1.2V
尺寸: 10.31 x 9.45 x 4.57mm
宽度: 9.45mm
系列: OptiMOS 3
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 42 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 2890 pF @ 40 V
典型关断延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
最高工作温度: +175 °C
长度: 10.31mm
最低工作温度: -55 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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