型号: IPB083N10N3G
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.5V @ 75uA
漏源导通电阻: 8.3mΩ @ 73A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 125W(Tc)
类型: N沟道
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