型号: IPB083N10N3G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 75uA 漏源导通电阻：8.3mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.5V @ 75uA
漏源导通电阻: 8.3mΩ @ 73A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 125W(Tc)
类型: N沟道
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