型号: IPB114N03LG
功能描述: MOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 11.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 2.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
零件号别名: IPB114N03LGXT
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：李京
电话：17727581162
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13723777754
Q Q:
联系人：邓磊
电话：18826952105
Q Q:
