型号: IPB12CNE8NGXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 85V 67A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 9.25
PCB： 2
最大功率耗散： 125000
最大漏源电压： 85
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 12.9@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-263
标准包装名称： D2PAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 10
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 4.4
最大连续漏极电流： 67
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
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