型号: IPB136N08N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPx136,139N08N3 G
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 45A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 13.6 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1730pF @ 40V
功率 - 最大值： 79W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-2
其它名称： IPB136N08N3 G-NDIPB136N08N3G
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：白云
电话：13530052189
Q Q:
联系人：蔡先生
Q Q:
联系人：刘女士
电话：15330234239
Q Q:
