型号:  IPB16CNE8NGXT

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 85V 53A 3-Pin(2+Tab) TO-263

制造商:  Infineon Technologies AG

Max. Gate-Source-Spannung ：  ±20

包装宽度：  9.25

PCB：  2

Max. Betriebstemperatur ：  175

欧盟RoHS指令：  Compliant

Max. Leistungsaufnahme ：  100000

Min. Betriebstemperatur ：  -55

Kanalart：  N

Leitungsform：  Gull-wing

Lieferantenverpackung：  TO-263

Max. Dauer-Drain-Strom ：  53

Anzahl冯Elementen Pro晶片：  1

Max. Drain-Source-Spannung ：  85

包装长度：  10

类别：  Power MOSFET

包装高度：  4.4

Stiftanzahl：  3

标准Verpackungsname：  D2PAK

Befestigung：  Surface Mount

标签：  Tab

Kanalmodus：  Enhancement

Max. Drain-Source-Widerstand ：  16.2@10V