型号: IPB180N06S4H1ATMA2
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms
配置: Single
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: IPB180N06
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
零件号别名: IPB180N06S4-H1 IPB18N6S4H1XT SP001028786
单位重量: 1.600 g
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