型号:  IPB180N10S402ATMA1

功能描述:  MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  180 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  156 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.4 mm

长度:  10 mm

系列:  IPB180N10

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.25 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

零件号别名:  IPB180N10S4-02 SP001057184

单位重量:  1.600 g