型号: IPB180P04P4L02ATMA2
功能描述: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
制造商: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: OptiMOS®-P2
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 410µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 286nC @ 10V
Vgs（最大值）: +5V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 18700pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-3
封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
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