型号:  IPB200N15N3GATMA1

功能描述:  N-Channel 150 V 50 A 20 mO 23 nC OptiMOS 3 Power Transistor - D2PAK

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  8V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 90µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  31nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1820pF @ 75V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  150W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  20 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-3

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  150V

连续漏极电流ID：  50A

漏源电压（Vdss）：  150V

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  75V

无铅情况/RoHs：  否