型号:  IPB60R380C6ATMA1

功能描述:  N-Channel 600 V 380 mOhm CoolMOSTM C6 Power Transistor-PG-TO263-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  10.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 320µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  32nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  700pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  83W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  380 毫欧 @ 3.8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-3

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  10.6A

漏源电压（Vdss）：  600V

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

无铅情况/RoHs：  否