型号:  IPB65R045C7

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

227 W：  Pd - 功率消耗

93 nC：  Qg - 闸极充电

公司名称：  CoolMOS

品牌：  InFineon Technologies

安装风格：  SMD/SMT

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

最高工作温度：  + 150 C

标准包装数量：  1000

Id - C连续漏极电流：  46 A

标准断开延迟时间：  82 ns

系列：  IPB65R045

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

Rds On - 漏-源电阻：  45 m0hms

RoHS：  符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：  650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Vgs th - 门源门限电压：  3 V to 4 V

上升时间：  14 ns

下降时间：  7 ns

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道数量：  1Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  46A

Rds On-漏源导通电阻：  40mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  93nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

Pd-功率耗散：  227W

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

典型关闭延迟时间：  82ns

典型接通延迟时间：  20ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs